La mémorisation dans les ordinateurs. Volume 2, Caractérisation d'une mémoire à semi-conducteurs et la mémoire vive statique asynchrone

Par : Philippe Darche
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  • Nombre de pages232
  • FormatGrand Format
  • PrésentationBroché
  • Poids0.375 kg
  • Dimensions15,5 cm × 23,5 cm × 1,3 cm
  • ISBN978-1-83612-057-5
  • EAN9781836120575
  • Date de parution01/09/2025
  • CollectionInformatique
  • ÉditeurISTE éditions

Résumé

La mémorisation, seconde fonction de l'ordinateur, s'est progressivement complexifiée afin de répondre à des besoins croissants en capacité, rapidité, sécurité et efficacité énergétique. Elle se matérialise sous la forme d'un composant ou d'un système, tel qu'un sous-ensemble de mémoires ou un périphérique de mémoire de masse. Depuis plusieurs décennies, une tendance forte consiste à l'intégrer directement au processeur, sous le terme de mémoire embarquée, dont la mémoire cache constitue un exemple typique.
Comprendre ses mécanismes internes et son interfaçage est essentiel pour maîtriser le fonctionnement d'un ordinateur et le programmer efficacement. La mémorisation dans les ordinateurs 2 porte sur la cellule de mémorisation statique et sur le composant qui lui est associé, désigné sous le nom de mémoire vive statique. La première partie présente les principales caractéristiques temporelles d'une mémoire générique à accès aléatoire, ainsi que ses propriétés électriques et mécaniques, incluant notamment les aspects liés à l'encapsulation.
La seconde partie s'attache à l'étude de la première catégorie de mémoires vives à semiconducteurs à accès aléatoire : la mémoire statique asynchrone, couramment désignée par l'acronyme SRAM (Static Random Access Memory). L'ouvrage détaille ses caractéristiques temporelles, électriques et mécaniques, offrant ainsi une compréhension approfondie de son fonctionnement et de ses spécificités techniques.